1.所有基本单位的来历
3GIO（Third Generation InputOutput，第三代输入输出技术）
ACR（Advanced Communications Riser，高级通讯升级卡）
ADIMM（advanced Dual In-line Memory Modules，高级双重内嵌式内存模块）
TL+（Assisted Gunning Transceiver Logic，援助发射接收逻辑电路）
AHCI（Advanced Host Controller Interface，高级主机控制器接口）
AIMM（P Inline Memory Module，P板上内存升级模块）
AMR（Audio／Modem Riser；音效／调制解调器主机板附加直立插卡）
AHA（Accelerated Hub Architecture，加速中心架构）
AOI（Automatic Optical Inspection，自动光学检验）
APU（Audio Processing Unit，音频处理单元）
ARF（Asynchronous Receive FIFO，异步接收先入先出）
A（Alert Standards Forum，警告标准讨论）
ASK IR（Amplitude Shift Keyed Infra-Red，长波形可移动输入红外线）
AT（Advanced Technology，先进技术）
ATX（AT Extend，扩展型AT）
BIOS（Basic InputOutput System，基本输入输出系统）
CNR（Communication and Networking Riser，通讯和网络升级卡）
CSA（Communication Streaming Architecture，通讯流架构）
CSE（Configuration Space Enable，可分配空间）
COAST（Cache-on-a-stick，条状缓存）
DASP（Dynamic Adaptive Speculative Pre-Processor，动态适应预测预处理器）
DB Device Bay，设备插架
DMI（Desktop Management Interface，桌面管理接口）
DOT（Dynamic Overclocking Technonlogy，动态超频技术）
DPP（direct print Protocol，直接打印协议
DRCG（Direct Rambus clock generator，直接RAMBUS时钟发生器）
DVMT（Dynamic Video Memory Technology，动态内存技术）
E（Economy，经济，或Entry-level，入门级）
EB（Expansion Bus，扩展总线）
EFI（Extensible Firmware Interface，扩展固件接口）
EHCI（Enhanced Host Controller Interface，加强型主机端控制接口）
EISA（Enhanced Industry Standard Architecture，增强形工业标准架构）
EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）
ESCD（Extended System Configuration Data，可扩展系统配置数据）
ESR（Equivalent Series Resistance，等价系列电阻）
FBC（Frame Buffer Cache，帧缓冲缓存）
FireWire（火线，即IEEE1394标准）
FlexATX（Flexibility ATX，可扩展性ATX）
FSB（Front Side Bus，前端总线）
FWH（Firmware Hub，固件中心）
GB（Garibaldi架构，Garibaldi基于ATX架构，但是也能够使用WTX构架的机箱）
GMCH（Graphics & Memory Controller Hub，图形和内存控制中心）
GPA（Graphics Performance Accelerator，图形性能加速卡）
GPIs（General Purpose Inputs，普通操作输入）
GTL+（Gunning Transceiver Logic，发射接收逻辑电路）
HDIT（High Bandwidth Differential Interconnect Technology，高带宽微分互连技术）
HSLB（High Speed Link Bus，高速链路总线）
HT（HyperTransport，超级传输）
I2C（Inter-IC）
I2C（Inter-Integrated Circuit，内置集成电路）
IA（Instantly Available，即时可用）
IBASES（Intel Baseline P System Evaluation Suite，英特尔基线P系统评估套件）
IC（integrate circuit，集成电路）
ICH（InputOutput Controller Hub，输入输出控制中心）
ICH-S（ICH-Hance Rapids，ICH高速型）
ICP（Integrated Communications Processor，整合型通讯处理器）
IHA（Intel Hub Architecture，英特尔Hub架构）
IMB（Inter Module Bus，隐藏模块总线）
INTIN（Interrupt Inputs，中断输入）
IPMAT（Intel Power Management Analysis Tool，英特尔能源管理分析工具）
IR（infrared ray，红外线）
IrDA（infrared ray，红外线通信接口，可进行局域网存取和文件共享）
ISA（Industry Standard Architecture，工业标准架构）
ISA（instruction set architecture，工业设置架构）
K8HTB（K8 HyperTransport Bridge，K8闪电传输桥）
LSI（Large Scale Integration，大规模集成电路）
LPC（Low Pin Count，少针脚型接口）
MAC（Media Access Controller，媒体存储控制器）
MBA（manage boot agent，管理启动代理）
MC（Memory Controller，内存控制器）
MCA（Micro Channel Architecture，微通道架构）
MCC（Multilayer Ceramic Capacitor，积层陶瓷电容）
MCH（Memory Controller Hub，内存控制中心）
MDC（Mobile Daughter Card，移动式子卡）
MII（Media Independent Interface，媒体独立接口）
MIO（Media IO，媒体输入输出单元）
MOET（metallic oxide semiconductor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）
MRH-R（Memory Repeater Hub，内存数据处理中心）
MRH-S（SDRAM Repeater Hub，SDRAM数据处理中心）
MRIMM（Media-RIMM，媒体RIMM扩展槽）
MSI（Message Signaled Interrupt，信息信号中断）
MSPCE(Multiple Streams with Pipelining and Concurrent Execution，多重数据流的流水线式传输与并发执行）
MT=MegaTransfers（兆传输率）
MTH（Memory Transfer Hub，内存转换中心）
MuTIOL（Multi-Threaded IO link，多线程IO链路）
NCQ（Native Command Qu，本地命令序列）
NGIO（Next Generation InputOutput，新一代输入输出标准）
NPPA（nForce Platform Processor Architecture，nForce平台处理架构）
OHCI（Open Host Controller Interface，开放式主控制器接口）
ORB（operation request block，操作请求块）
ORS（Over Reflow Soldering，再流回焊接，SMT元件的焊接方式）
P64H（64-bit PCI Controller Hub，64位PCI控制中心）
PCB（printed circuit board，印刷电路板）
PCBA（Printed Circuit Board Assembly，印刷电路板装配）
PCI（Peripheral Component Interconnect，互连设备）
PCI SIG（Peripheral Component Interconnect Special Interest Group，互连设备专业组）
PDD（Performance Driven Design，性能驱动设计）
PHY（Port Physical Layer，端口物理层）
POST（Power On Self Test，加电自测试）
PS2（Personal System 2，第二代个人系统）
PTH（Plated-Through-Hole technology，镀通孔技术）
RE（Read Enable，可读取）
QP（Quad-Pumped，四倍泵）
RBB（Rapid BIOS Boot，快速BIOS启动）
RNG（Random number Generator，随机数字发生器）
RTC（Real Time Clock，实时时钟）
KBC（KeyBroad Control，键盘控制器）
SAP（Sideband Address Port，边带寻址端口）
SBA（Side Band Addressing，边带寻址）
SBC（single board computer，单板计算机）
SBP-2（serial bus protocol 2，第二代串行总线协协）
SCI（Serial Communications Interface，串行通讯接口）
SCK (CMOS clock，CMOS时钟)
SDU（segment data unit，分段数据单元）
F（Small Form Factor，小尺寸架构）
S（Stepless Frequency Selection，步进频率选项）
SMA（Share Memory Architecture，共享内存结构）
SMT（Surface Mounted Technology，表面黏贴式封装）
SPI（Serial Peripheral Interface，串行设备接口）
SSLL（Single Stream with Low Latency，低延迟的单独数据流传输）
STD（Suspend To Disk，磁盘唤醒）
STR（Suspend To RAM，内存唤醒）
SVR（Switching Voltage Regulator，交换式电压调节）
THT（Through Hole Technology，插入式封装技术）
UCHI（Universal Host Controller Interface，通用宿主控制器接口）
UPA（Universal Platform Architecture，统一平台架构）
UPDG（Universal Platform Design Guide，统一平台设计导刊）
USART（Universal Synchronous Asynchronous Receiver Transmitter，通用同步非同步接收传送器）
USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）
API（Application Programming Interfaces，应用程序接口）
ASCII（American Standard Code for Information Interchange，美国国家标准信息交换代码）
ATL ActiveX Template Library（ActiveX模板库）
BASICBeginner's All-purpose Symbolic Instruction Code（初学者通用指令代码）
COM Component Object Model（组件对象模式）
DNA Distributed Internet Application（分布式因特网应用程序）
HLL（high level language，高级语言）
HLLCA（High-Level Language Computing Architecture，高级语言计算架构）
MFC Microsoft Foundation Classes（微软基础类库）
NVSDK（nVidia Software Development Kit，nvidia软件开发工具包）
SDK（Software Development Kit，软件开发工具包）
STL（Standard Template Library，标准模版库）
AES（Attachment Execution Service，附件执行服务）
A（Advanced Streaming Format，高级数据流格式）
ASP（Active Server Pages，活动服务页）
BRC（Beta Release Candidate，测试发布候选版0）
CE（Consumer Electronics，消费电子）
COA（Certificate of Authenticity，真品证明书）
DCOM（Distributing Component Object Model，分布式组成物体模块）
DCE（Desktop Composition Engine，桌面组成引擎）
DEP（data execution prevention，数据执行预防）
DHCP（Dynamic Host Configuration Protocol，动态主机分配协议）
DID（Device ID，设备ID）
dll（dynamic link library，动态链接库）
DMF Distribution Media Format
DMT（Discreet Monitor Timing，智能型显示器调速）
DOM（Document Object Model，文档目标模型）
DUN（Dial-Up Networking，拨号网络）
E-WDM（Enhanced Windows Driver Model，增强型视窗驱动程序模块）
EULA（End-User License Agreement，最终用户释放协议）
EPM（enterprise project manage）
ERD（Emergency Repair Disk，应急修理磁盘）
GDI（Graphics Device Interface，图形设备接口）
GUI（Graphics User Interface，图形用户界面）
GPF（General protect fault，一般保护性错误）
GTF（General Timing Formula，普通调速方程式）
HCL（Hardware Compatibility List，硬件兼容性列表）
HCRP（Hardcopy Cable Replacement Profile，硬复制电缆复位协议子集）
HE（Home Edition，家庭版）
HTA HyperText Application，超文本应用程序
IAS（Internet Authentication Service，因特网证明服务）
ICF（Internet Connection Firewall，因特网连接防火墙）
IIS（Internet Information Server，因特网信息服务器）
INF File（Information File，信息文件）
INI File（Initialization File，初始化文件）
IOMON（Intel WDM IO Subsystem Performance Monitor，英特尔WDM输入输出子系统性能监视）
LOB（Large Object，大型对象）
MBSA（Microsoft Baseline Security Analyzer，微软基准安全分析器）
ME（Millennium Edition，千年版）
MMC（Microsoft Management Console，微软管理控制台）
MMC（MultiMedia Controler，多媒体控制器）
MTP（Microsoft Multimedia Transport Protocol，微软多媒体传输器协议）
MUI（Multilingual User Interface，多语言用户接口）
NDIS Network Driver Interface Specification，网络驱动程序接口规范
NT（New Technology，新技术）
OLE（Object Linking and Embedding，对象链接和嵌入）
OPP（Object Push Profile，物体推拉传输协议）
PAN（Personal Area Networking，个人区域网络）
Qos（Quality of Service，服务质量）
RC（Release Candidate，候补释放版）
RDP（Remote Desktop Protocol，远程桌面协议）
RMS（Rights Management Services，版权管理服务）
RPC（remote procedure calls，远程程序呼叫）
RRVP Resource ReserVation Protocol（保留协议）
RsoP（Resultant Set of Policy，方针结果规定）
RTM（release to manufacture，厂商版，公开发行批量生产）
RTOS（Real Time Operating Systems，实时操作系统）
SBFS Simple Boot Flag Specification，简单引导标记规范
SDP（Service Discovery Protocol，服务发现协议）
SHS（Shell Scrap Object，外壳剪贴对象）
SID（Subsystem ID，子系统ID）
SIP（Session Initiation Protocol，会议起始协议）
SMS（Systems Management Server，系统管理服务器）
SP（Service Pack，服务工具包）
SVID（Subsystem Vendor ID，子系统销售者ID）
VBA（Visual Basic for Applications，应用程序可视化Basic）
VEFAT Virtual File Allocation Table（虚拟文件分配表）
VSDS（Visual Studio development System ，虚拟工作室发展系统）
VxD（Virtual device drivers，虚拟设备驱动程序）
VID（Vendor ID，销售者ID）
VLK（Volume License，大量授权企业版）
WebDAV（Web-based Distributed Authoring and Versioning，基于网页的分布式创造和翻译）
WDM（Windows Driver Model，视窗驱动程序模块）
WGF（Windows Graphic Foundation，视窗图形基础）
Winsock Windows Socket，视窗套接口
WFP（Windows File Protection，视窗文件保护）
WHQL Windows Hardware Quality Labs，Windows硬件质量实验室
WHS Windows Scripting Host，视窗脚本程序
WMA（Windows Media Audio，视窗媒体音频）
WMP（Windows Media Player，视窗媒体播放器）
WMS（Windows Media Services，视窗媒体服务）
ZAM Zero Administration for Windows，零管理视窗系统
CSS（Cascading Style Sheets，层叠格式表）
DCD Document Content Description for XML XML文件内容描述
DTD Document Type Definition，文件类型定义
DTXS（Decryption Transform for XML Signature，XML签名解密转换）
HTML（HyperText Markup Language，超文本标记语言）
JVM（Ja Virtual Machine, Ja虚拟机）
OJI Open Ja VM Interface，开放JAVA虚拟机接口
SDML（Small Device Markup Language，小型设备标示语言）
SGML Standard Generalized Markup Language，标准通用标记语言
SMIL Synchronous Multimedia Integrate Language（同步多媒体集成语言）
VRML：Virtual Reality Makeup Language，虚拟现实结构化语言
VXML（Voice eXtensible Markup Language，语音扩展标记语言）
XML Extensible Markup Language（可扩展标记语言）
XMLESP（XML Encryption Syntax and Processing，XML加密语法和处理）
XSL（Extensible Style Sheet Language，可扩展设计语言）
XSLT（Extensible Stylesheet Language Transformation，可扩展式表语言转换）
ABB（Advanced Boot Block，高级启动块）
ABP Address Bit Permuting，地址位序列改变
ADT（Advanced DRAM Technology，先进DRAM技术联盟）
AL（Additive Latency，附加反应时间）
ALDC（Adaptive Lossless Data Compression，适应无损数据压缩）
APM（Automated Precision Manufacturing，自动化精确生产）
ATC（Access Time from Clock，时钟存取时间）
ATP（Active to Precharge，激活到预充电）
BEDO（Burst Enhanced Data-Out RAM，突发型数据增强输出内存）
BPA（Bit Packing Architecture，位封包架构）
AFC media（antiferromagnetically coupled media，反铁磁性耦合介质）
BLP（Bottom Leaded Package，底部导向封装）
BSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态存储器）
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）
CCT（Clock Cycle Time，时钟周期）
CDRAM（Cache DRAM，附加缓存型DRAM）
CL（CAS Latency，CAS反应时间）
CMR（Colossal Magnetoresistive，巨磁阻抗）
CPA（Close Page Autoprecharge，接近页自动预充电）
CSP（Chip Size Package，芯片尺寸封装）
CTR（CAS to RAS，列地址到行地址延迟时间）
DB Deep Buffer（深度缓冲）
DD（Double Side，双面内存）
DDBGA（Die Dimension Ball Grid Array，内核密度球状矩阵排列）
DDR（Double Date Rate，上下行双数据率）
DDR SDRAM（Double Date Rate，上下行双数据率SDRAM）
DRCG（Direct Rambus Clock Generator，直接RAMBUS时钟发生器）
DIL（dual-in-line）
DIVA（Data IntensiVe Architecture，数据加强架构）
DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）
DLL（Delay－Locked Loop，延时锁定循环电路）
DQS（Bidirectional data strobe，双向数据滤波）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）
DRDRAM（Direct RAMBUS DRAM，直接内存总线DRAM）
DRSL（Direct RAMBUS Signaling Level，直接RAMBUS信号级）
DRSL（Differential Rambus Signaling Levels，微分RAMBUS信号级）
DSM（Distributed shared memory，分布式共享内存）
ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）
ED（Execution driven，执行驱动）
EDO（Enhanced Data-Out RAM，数据增强输出内存）
EHSDRAM（Enhanced High Speed DRAM，增强型超高速内存）
EL DDR（Enhanced Latency DDR，增强反应周期DDR内存）
EMS（Enhanced Memory System，增强内存系统）
EMS（Expanded Memory Specification，扩充内存规格）
EOL（End of Life，最终完成产品）
EPROM（erasable, programmable ROM，可擦写可编程ROM）
EPOC（Elevated Package Over CSP，CSP架空封装）
EPV（Extended Voltage Proteciton，扩展电压保护）
ESDRAM（Enhanced SDRAM，增强型SDRAM）
ESRAM（Enhanced SRAM，增强型SRAM）
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电擦写可编程只读存储器）
FCRAM（Fast Cycle RAM，快周期随机存储器）
FEMMA（Foldable Electronic Memory Module Assembly，折叠电子内存模块装配）
FM（Flash Memory，快闪存储器）
FMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器）
FPM（Fast Page Mode，快页模式内存）
HDSS（ Holographic Data Storage System，全息数据存储系统）
HMC（holographic media card，全息媒体卡）
HMD（holographic media disk，全息媒体磁盘）
HSDRAM（High Speed DRAM，超高速内存）
LRU（least recently used，最少最近使用）
MADP（Memory Address Data Path，内存地址数据路径）
MDRAM（Multi Bank Random Access Memory，多储蓄库随机存储器）
MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性随机存取存储器）
ns（nanosecond，纳秒，毫微秒，10亿分之一秒）
NVRAM（Non-Volatile RAM，非可变性RAM）
NWX（no write transfer，非写转换）
ODR（Octal Data Rate，八倍数据率）
ODT（on-die termination，片内终结器）
OP（Open Page，开放页）
PIROM：Processor Information ROM，处理器信息ROM
PLEDM Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory
PLL（Phase Lock Loop，相位锁定环）
PRISM（Photorefractive Information Storage Material，摄影折射信息存储原料）
PROM（Programmable Read Only Memory，可编程只读存储器）
PTA（Precharge to Active，预充电到激活）
QBM（Quad Band Memory，四倍边带内存）
QRSL（Quad Rambus Signaling Levels，四倍RAMBUS信号级）
RAC（Rambus Asic Cell，Rambus集成电路单元）
RAC（Row Access Time，行存取时间）
RAM（Random Access Memory，随机存储器）
RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）
RAT（Precharge to Active Trp，预充电到激活时间）
RCD（Row to Cas Delay，行地址到列地址控制器延迟时间）
RDF（Rambus Developer Forum，RAMBUS发展商论坛）
RDRAM（Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM）
RIMM（RAMBUS In-line Memory Modules，RAMBUS内嵌式内存模块）
ROM（read-only memory，只读存储器）
RRAM（Resistance RAM，非挥发性阻抗存储器）
RP（RAS Pre-charge Times，行地址预充电时间）
RL（Read Latency，读取反应时间）
SCP（CHIP SCALE PACKGE，芯片比例封装）
SD（Single Side，单面内存）
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步动态内存）
SDR（Single Date Rate，单数据率）
SDR SDRAM（Single Date Rate，单数据率SDRAM）
SGRAM（synchronous graphics RAM，同步图形随机储存器）
SIMM（Single Inline Memory Module，单边直线内存模块）
SLM（Spatial Light Modulator，空间光线调节器）
SM（Smart Media，智能存储卡）
SMRAM（System Management RAM，系统管理内存）
SODIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules，小型双重内嵌式内存模块）
SPD（Serial Presence Detect，串行存在检查）
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器）
SRAM（single-transistor DRAM，单晶体管DRAM）
SDC（Solid State Floppy Disk Card，固态软盘卡，通常指Smart Media）
SSTL（Stub Series Terminated Logic，残余连续终结逻辑电路）
TCP（Tape Carrier Packaging，带载封装）
TCSR（temperature compensated self refresh，温度补偿自刷新）
TD（Trace driven，追踪驱动）
TOM（Top of main memory，主内存顶端）
TSOPs（thin small outline packages，小型薄型封装）
UMA（Upper Memory Area，上部内存区）
ULVS（ultra low voltage signal，超低电压信号）
USWV（Uncacheable, Speculative, Write-Combining非缓冲随机混合写入）
VCRAM（Virtual Channel Memory，虚拟通道内存）
VCMA（Virtual Channel Memory architecture，虚拟通道内存结构）
VCSDRAM（Virtual Channel SDRAM，虚拟通道内存）
VM（Virtual Memory，虚拟存储器）
VR（Virtual Register，虚拟寄存器）
WBGA（Windows-BGA，WBGA的面积尺寸为传统TSOP封装的36.52%，重量为传统TSOP的23.37%，整个WBGA的面积与内核的比例为128%，也就是说，封装的面积仅比管芯大28%。
WL（Write Latency，写反应时间）
WORM（write-onceread many，写一次读多次介质）
XDR（eXtreme Data Rate，极速数据率）
XMS（Extended Memory，扩展内存）
所有基本单位的来历
项目 数据
主板
主板 ID 04/13/2006-C51/MCP51-6A61HM49C-00
主板名称 Muse K8N5GM
前端总线特性
总线类型 AMD Hammer
外部频率 200 MHz
有效频率 200 MHz
超传输(HT)频率 [ TRIAL VERSION ]
内存总线特性
总线类型 DDR SDRAM
总线位宽 64 位
DRAM : FSB CPU/9
外部频率 200 MHz (DDR)
有效频率 401 MHz
带宽 [ TRIAL VERSION ] MB/秒
一、米
国际单位制的长度单位“米”(meter,metre)起源于法国。1790年5月由法国科学家组成的特别委员会，建议以通过巴黎的地球子午线全长的四千万分之一作为长度单位──米，1791年获法国国会批准。为了制造出表征米的量值的基准器，在法国天文学家捷梁布尔和密伸的领导下，于1792～1799年，对法国敦克尔克至西班牙的巴塞罗那进行了测量。1799年根据测量结果制成一根3．5毫米×25毫米短形截面的铂杆(platinum metre bar)，以此杆两端之间的距离定为1米，并交法国档案局保管，所以也称为“档案米”。这就是最早的米定义。由于档案米的变形情况严重，于是，1872年放弃了“档案米”的米定义，而以铂依合金（90％的铂和10％的铱）制造的米原器作为长度的单位。米原器是根据“档案米”的长度制造的，当时共制出了31只，截面近似呈X形，把档案米的长度以两条宽度为6～8微米的刻线刻在尺子的凹槽（中性面）上。1889年在第一次国际计量大会上，把经国际计量局鉴定的第6号米原器（31只米原器中在0℃时最接近档案米的长度的一只）选作国际米原器，并作为世界上最有权威的长度基准器保存在巴黎国际计量局的地下室中，其余的尺子作为副尺分发给与会各国。规定在周围空气温度为0℃时，米原器两端中间刻线之间的距离为1米。1927年第七届国际计量大会又对米定义作了严格的规定，除温度要求外，还提出了米原器须保存在1标准大气压下，并对其放置方法作出了具体规定。
1983年10月在巴黎召开的第十七届国际计量大会上又通过了米的新定义：“米是1／2992458秒的时间间隔内光在真空中行程的长度”。这样，基于光谱线波长的米的定义就被新的米定义所替代了。实际上，米是被定义为光在以铂原子钟测量的O.000000003335640952秒内走过的距离（取这个特别的数字的原因是，因为它对应于历史上的米的定义——按照保存在巴黎的特定铂棒上的两个刻度之间的距离）。同样，我们可以用叫做光秒的更方便更新的长度单位，这就是简单地定义为光在一秒走过的距离。现在，我们在相对论中按照时间和光速来定义距离，这样每个观察者都自动地测量出同样的光速（按照定义为每0.000000003335640952秒之1米） 。
二、秒
1820年法国科学院正式提出：一个平太阳日的1/86400为一个平太阳秒，称为世界时秒长。 不过，发展出摆钟来保持平时（相对于日晷所显示的视时），使得秒成为可测量的时间单位。秒摆的摆长在1660年被伦敦学会提出作为长度的单位，在地球表面，摆长约一米的单摆，一次摆动或是半周期（没有反复的一次摆动）的时间大约是一秒。
在1956年，秒被以特定历元下的地球公转周期来定义，因为当时天文学家知道地球在自转轴上的自转不够稳定，不足以作为时间的标准。纽康的太阳表以1900年的暦元描述太阳的运动，所依据的是1750年至1892年的观测。In 1956.秒的定义如下：
自历书时1900年1月1日12时起算的回归年的31,556,925.47分之一为一秒
在1960年，这个定义由第十一次的国际度量衡会议通过。虽然这个定义中的回归年的长度不能进行实测，但可以经由线性关系的平回归年的算式推导，因此，有一个具体的瞬时回归年长度可以参考。因为秒是用于大半个20世纪太阳和月球的星历表中的独立时间变量（纽康的太阳表从1900年使用至1983年，布朗的月球表从1920年使用至1983年），因此这个秒被称为历书秒。
随着原子钟的发展，秒的定义决定改用原子时做为新的定义基准，而不再用地球公转太阳定义的历书秒。
经过多年的努力，英国国家实验室的路易斯?埃森和美国海军天文台的威廉?马克维兹测量出铯原子的超精细跃迁周期和暦书秒的关系。使用过去普通的测量方法，接收来自无线电台、WWV的讯号，使用一个原子钟来测量时间，他们确定了月球相对于地球的轨道运动，也推断出太阳表面可能有相对于地球的运动。结果，在1967年的第13届国际度量衡会议上决定以原子时定义的秒作为时间的国际标准单位：
铯133原子基态的两个超精细能阶间跃迁对应辐射的9,192,631,770个周期的持续时间。
三、伏特
在国际单位制中安培是基本电学单位，伏特的SI定义是以安培和力学单位瓦特导出的。 依据国际单位制的基本电学单位安培，伏特定义为:"在载荷1A恒定电流的导线上，当两点之间导线上的功率耗散为1W(1W=1 J/S)时，这两点之间的电位差"。电压的确定理论上是这样，但是实际使用的电压基准是利用约瑟夫森效应，从时间频率基准导出的。在两块超导体之间隔以极薄的绝缘层，即构成一个约瑟夫森结。按照量子力学的规律，超导电流可以穿透绝缘层而在结内流动。如果在绝缘层的两边加上直流电压V，则结内会流动频率为f的高频交变超导电流，且电压，其中h为普朗克常数，e为基本电荷。这样，电压V可以由基本物理常数h和e的比值及频率f的数值决定，此即为约瑟夫森效应。f的测定不确定度可达到10-13量级。所以由约瑟夫森效应得到的结电压在原则上可达到与频率标准相近的稳定度和复现性。 单个约瑟夫森结的结电压仅为毫伏量级。年，联邦德国及美国利用约1500个约瑟夫森结相串联，得到了约 1伏的结电压，可直接与标准电池的端电压相比较，监视直流电动势基准的稳定性。我国10V约瑟夫森结阵电压基准的建立，可以保证我国在电学单位量值上与国际单位保持一致，所提供的数据，其不确定度技术指标已达到国际领先水平。10V量子电压基准在电子计量领域有着非常重要的应用，它所复现出的高准确度直流电压在0.1－11V范围内，可获得7万多个电压标准值。所有这些复现出的量子电压准确度、稳定性、重复性远远高于实物标准，在复现10电压时，不确定度可达到10-9量级，远远高于实物基准（不确定度水平约10-7量级。），该基准可以广泛用于校准10V固态电压标准、高精度数字电压表、高精密数字电压源、高精度模数转换器以及相关的精密标准仪器设备，为我国进出口贸易提供关键技术数据和计量溯源保证。与国际上先进国家的同类装置相比，本系统在微波锁相、微波传输低温探杆系统以及测量方法上和技术上具有独到的特点，整套装置的测量不确定为5.4×10-9（从这里不难看出，为什么高于八位半的数字表难以见到）。
四、欧姆
欧姆——以国际欧姆作为电阻单位，它以等于109CGSM电阻的欧姆作为基础，用恒定电流在融冰温度时通过质量为14.4521克、长度为106.3厘米、横截面恒定的水银柱受到的电阻。
量子化霍耳效应和电阻自然基准 1980年，联帮德国科学家K.von克利青等人发现量子化霍耳效应,即在低于4.2开的低温和大于10特的强磁场中,半导体表面的二维电子气的朗道能级呈现分立效应。当电子填满某一能级时，半导体的霍耳电阻曲线上出现平台。平台处的霍耳电阻Rh 满足方程Rh=h/ne2， n为整数或有理分数。由基本物理常数 h和 e 的比值即可决定霍耳电阻的数值,而且不包含频率因子。因此，用量子化霍耳效应建立的电阻自然基准的复现性和稳定度原则上不受限制。
量子化的霍尔电阻是国际公认的表示欧姆的方法，它是已知的最稳定的电阻标准。很多发展中国家和实业公司都需要高精度的最根本的电阻参考标准来适应他们的高技术运行环境。成熟的QuantΩ系统为全世界的国家实验室和工业实验室提供了这种需求。
MI的QuantΩ（量子化霍尔电阻标准）是全自动化的顶级标准系统，它的标准可重复使用，这是一个很经济实用的方法。这个系统是全面的翻转键系统，并且几乎不需要人工操作。杜瓦瓶和仪器架都放在一个宽敞的圆柱空间内，安装在一个小脚轮上，便于移动。一个可变温度的用泵抽送氦的冷藏库和一部分8T的磁铁都可以简便安装和拆卸，杜瓦瓶可根据需要来填充。另外，如果能有一个氦供应设施存在，那么该系统可连续操作。低温恒温器可保证在一次填充后，该系统可工作4至5天。通常的测量都在两天就能完成。
QuantΩ系统提供了一种经济的方法，以准确的建立和测量欧姆值在0.1到13K之间的电阻。霍尔系统在电阻测量和低温方面多年的研究经验，发展出了这套系统。
QuantΩ系统是世界上第一个量子化霍尔电阻标准，它由三部分组成。
标准电阻样本：
QuantΩ电阻标准提供有关于25812.807欧姆的冯克立曾常数的绝对值。在加拿大国家研究委员会,改参数或是样本在一个可移动的杜瓦瓶中保持在1.2K,这个杜瓦瓶充满60升氦，由部分磁铁提供8特斯拉磁场。该系统被设计成3到4天为一个操作周期，或者可以连续工作。
标准低温：
QuantΩ系统的组件有：一个60升容量的杜瓦瓶，它带有一个用泵汲取氦的冷藏室，一个8特斯拉的超导磁铁，还有温度传感器，加热器，一个装配了超导磁铁供应源的仪器架子，温度控制器，氦液面传感器和一个无油机械真空泵。
杜瓦瓶装在一个坚固的小脚轮上，便于从一个房间运到其它房间去。系统也可以作为一个参数传输标准从一个设备输送到其它设备上。
该系统也可以使用9特斯拉的磁铁，以便同其它样品一起使用。支撑架子为便于测量，可以很容易就拆卸下来。
测量系统：
一个改进过的直流电流比较仪电桥（Model 6010Q）在常温下操作，可以使两个电阻进行比较，精度可达到2×10-8。6010Q电桥用来针对1000欧姆标准电阻比较QHR装置。电桥能测量依赖于Rxx和Rxy的域，对Rxx做精密测量，以及对QHR装置的瞬变电阻做测量：总之，为确保QHR电阻的测量精度，所必须做的测量都做了。电桥和低热矩阵扫描仪能用来建立以1000欧姆电阻为基准的电阻值，可以达到的值为1,10,100,1K和10K，精度等级是非常高的。QuantΩ电桥可以独立操作，或者使用MI的QuantΩ软件进行自动化测量。
QuantΩ系统被设计成模块化的，分成三个部分，QuantΩ样本，QuantΩ低温装置以及QuantΩ电桥，这几个部件都可以单独购买。如果有需求，QuantΩ系统也可以选择使用额外的QHR样本，QuantΩ软件，一条不锈钢的液态氦传输线以便于可连续操作，还有一个充油电阻槽（Model 9303JW）以及一个100升容量的杜瓦瓶。
在国际单位制种，欧姆来自于伏特和安培。实践中，加拿大国家实验室从1990年开始就使用量子化的霍尔电阻系统来代表阻抗了。这些电阻都是半导体器件，在几特斯拉的磁场中，它们被冷却到1.5开或者更低的温度，电阻的增益值本质上是不变的，而且被认为是基本常数的倍数。在国际协议中，第一个增益值等效于25812.807欧姆。
由中国计量科学研究院等单位完成的“量子化霍尔电阻基准”项目获得2007年度国家科技成果进步奖一等奖。“量子化霍尔电阻基准”这一重大成果，在国际上首次从理论上证明了量子化霍尔电阻数值与器件的形状无关，为证实量子化霍尔效应的普适性做出了贡献；自行研制的量子化霍尔器件，突破了国外技术封锁，为课题提供了核心器件；自主研究的高匝比超导电流比较仪，大大超过了国际同类装置水平。这3项主要创新具有我国自主的知识产权。该项研究成果数据可靠，不确定度为国际同类基准之首（10-10量级）。这项成果是以张钟华院士为首的科研团队经过十多年的努力取得的。量子化霍尔电阻基准，准确度比传统的标准电阻提高了一千多倍，达到了国际领先水平。
电磁测量仪器是否准确，要用电磁计量标准来检定。电磁计量标准有很多种，其中最基本的是电压标准和电阻标准两种，其他电磁计量标准的量值均可以由这两种基本标准导出。量子计量基准代表了国际计量基标准的最高水平，按照国际计量组织的规定，没有建立量子计量基准的国家，相应量值要向其他具有量子基准的国家溯源。目前，建立了该项量子基准的国家只有少数几个发达国家，该量子基准的建立，为维护我国技术主权，科学研究的独立性，以及国家经济安全和国防建设具有重要意义。
五、千克
1795年4月7日，克在法国被规定为相等于“容量相等于边长为百分之一米的立方体的水于冰熔温度时的绝对重量”。由于商贸一般涉及的质量远比一克大，又由于以水为标准的质量既不方便又不稳定，所以为了商业法规必需制造出质量水定义的实化仪。于是，人们制造了一个临时的质量标准：一块金属人工制品，质量为克的一千倍——千克。
同时，准确判定一立方分米（一升）的水质量的工作也展开了。虽然千克定义规定的水温0 °C是非常稳定的温度点，但是科学家们经过多年的研究决定于1799年在定义中改用水最稳定的密度点，也就是水达到最大密度时的温度，当时的量度结果为4 °C他们断定在最大密度时一立方分米的水相等于4年前临时千克标准目标质量的99.9265%。同年，也就是1799年，人们制造出一块纯白金的原器，其目标就是原器质量会相等于（当时科学上许可地尽量接近）4°C时一立方分米的水。该原器于六月被呈上国家档案局，并于1799年12月被正式定为“档案局千克”（Kilogramme des Archives），而一千克的定义就相等于其质量。这个标准维持了九十年。
国际千克原器
自1889年起，国际单位制将千克的大小定义为跟国际千克原器（在专业度量衡学中很多时候会把它缩写为“IPK”）的质量相等。IPK由一种铂合金制成，这种合金叫“Pt?10Ir”，即90%铂及10%铱（按质量比）；然后把这种合金用机器造成39.17mm的直立圆柱体（高度=直径），这样做可以把表面积减至最低。比起纯铂的档案局千克，新加进去的10%铱改善了硬度，但同时保留铂的许多长处：对氧化的高度抵抗性、极高密度、良好的导电与导热性以及低磁化率。IPK与其六件姐妹复制品都被存放在国际计量局（BIPM）位于巴黎郊区的总部下层的储藏室内，有环境监控的保险箱里。（见下面的外部）开启保险箱需要三条被分开保管的钥匙。IPK的正式复制品可供其他国家作她们的全国标准之用。这些复制品大概每50年就要跟IPK比对一次。
IPK是1879年制造的三个圆柱体之一。1883年，IPK的质量被发现跟八十四年前的档案局千克的一致，并在1899年的第一届国际度量衡大会中被正式指定为千克。维也纳标准海水（有严格同位素控制的纯净水）密度的现代测量指出一立方分米的水，在最大密度时（3.984°C）比一千克只差25.05ppm。这个微小的差别，与IPK跟档案局千克质量一致这个事实，说明了超过209年前科学家们在量度水密度及制造档案局千克的技艺是相当高超的。
千克 国际千克原器的稳定性
图为各原器随时间的质量变动，其中K21–K40为各国的国家原器，K8(41)[注 4]与K32为IPK的姐妹复制品。所有质量变动都是相对于IPK的。1889年的原值偏移量都被相对于IPK地零化。[10]以上的量度都是相对的；并没有可以判定以上哪个原器是相对于大自然最稳定的历史数据。很有可能地，在这100年间所有原器的质量都增加了，而K21、K35、K40及IPK只是被其他的增加得较少而已。
定义来上说，IPK质量的量度值误差为整零；IPK就是千克。然而，IPK因时间而成的质量变量，可经由比对世界各地正式复制品质量判定出来，这个过程被称为“定期核准”。例如，美国拥有四个90%铂/10%铱的千克标准仪，其中K4和K20是1884年制的原批中四十个复制品的两个。K20被指定为美国质量的国家首席标准。这两个原器，跟其他国家的一样，都要定期送回BIPM作质量核准。
需要指出的是，没有一个复制品的质量准确地等于IPK；它们的质量经过校准，得出的偏差值会被存盘。比方说，美国的国家首席标准K20，1889年最初的正式质量为1 kg-39μg；也就是说K20比IPK轻39 μg。1999年的上一次核准指出其质量准确地等于1889年的原值。跟这种小差异相当不同的是，美国的检核标准，K4的质量持续地相对于IPK下降——这都是有原因的。检核标准比首席标准要常用得多，所以很容易被刮及受到各种磨损。K4最初送抵时的正式质量为1 kg-75 μg，但到1989年经正式校准后质量为1 kg-106 μg，而十年后则是1 kg-116 μg。在这110年间，K4相对于IPK轻了41 μg。
除检核标准可能受到的一般磨损外，就算被小心收藏的国家原器也会因不同的原因而产生相对于IPK的质量变动，当中原因有已知的，也有未知的。由于IPK与它的复制品都被存放于空气中（尽管有两层或以上的钟罩），它们还是会经由表面吸附大气层中的灰尘而获得质量。因此会用一种称为“BIPM清洁法”的手续来清洁它们，这种方法是BIPM于1939至1946年间开发的，当中手续有用沾有等量和乙醇的油鞣革轻轻擦拭，用蒸馏过两次的水进行蒸气清洁，以及让原器在核准前先放7至10天。
2008年04月,位于不伦瑞克的德国国家计量研究院的研究人员表示，他们将用直径10厘米(4英寸)的纯硅体去界定比现在的千克质量定义更为标准的度量方法。目前，一个质量与千克最接近的铂铱圆柱体，作为国际统一重量单位一直存放在法国巴黎郊外戒备森严的金库内，但是由于消耗与磨损，它的质量正慢慢地减少，基本单位的准确性受到影响，误差越来越大。
新的纯硅体确实十分特殊，耗资200万欧元(约合320万美元)打造。纯硅体合俄罗斯、澳大利亚和德国科学精英之力，用时五年制造，重量无限接近于一千克，是完美的球体，纯度极高，99.99%的材料是一种称为硅28的硅同位素。德国不伦瑞克的科学家将从现在开始对纯硅体实施数千次实验，以测算制成它的硅原子数量。
